半导体的终局推演
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铁幕已经落下，未来如何演化？
有两个终局：
2025年『14nm划江而治』
这是美国对先进工艺筑起的壁垒，防止中国的芯片技术超越，所以此次封锁的节点就是Fab的14nm，DRAM的18nm，NAND的128层。
为什么美国选择14nm？
1）28nm是12年前的成熟技术，与FinFET的14有着质的区别
2）美系今年量产3nm，比中国的28nm领先了4代，足够有安全感
3）已经知晓中国的能力，再封杀成熟工艺已经没有意义
未来中国半导体之路，四大方向：
1）回归成熟工艺再造：“新90/55nm”远大于“旧7nm”，进入实体名单后，基于美系设备的7nm其现实意义远小于基于国产设备的成熟工艺，中国半导体的主要矛盾已经从缺少先进工艺调教，转移到缺少国产半导体设备的突破。
2）回归产能扩充：之前fab的精力都是在突破更先进工艺，现在应该趁机基于现有国产技术在成熟工艺节点大力扩产，内资晶圆厂占全球5%，缺口高达700%，产能扩充支持成熟工艺国产Fabless下游是当务之急。
3）继续加大外循环：欧美日韩不是铁板一块，各自有利益约束，未来国产化进度是按照加大工艺侧（45/28/14）和地缘侧（去A/去J/去O）两条国产晶圆厂路径演变，但是目前中间循环体日本和欧洲依旧。
4）防止陷入美国的蜜糖陷阱：对在禁令之外的成熟工艺设备，晶圆厂一定要以支持国产设备和材料为第一目标，不能再走回之前老路，因为学习曲线完全依赖于下游晶圆厂的通力合作，只有突破成熟才能演化到先进。
客观看待，中美竞合关系，美国守先进工艺，中国回炉再造成熟工艺，成熟工艺占据大部分芯片需求，但国内供给依旧接近于空白，先站稳成熟，再图先进。
2030年『7nm分而治之』
DUV是20年前日本和荷兰发明的技术，不受美国管辖
但EUV是美国科技最后的碉堡，锁住了7nm高阶~1nm
理论上，中国未来的科技树止步于多次曝光的DUV 7nm
但7nm的潜在天花板依旧足够了，因为：
1）除手机外，其他终端对功耗和单位体积的性能不敏感
2）CHIPLET：服务器/车/基站可以用3D堆叠的技术实现等效更高工艺
美国的本意是通过芯片封锁，来实现经济上的封锁
之前可以基于美国的地基（芯片）建大厦（用车/手机/互联网）
现在不一样了，
有多少nm的国产芯片设备，
才能造多少nm的国产晶圆厂
才能代工生成多少nm的真国产芯片，
才能用芯片实现多少nm级别的产品
晶圆厂及其上游设备材料，将成为一国经济发展的系统级变量
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