改变中国半导体的5个名字
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黄昆、谢希德、王守武、林兰英、汤定元以及众多中国半导体事业的开拓者们，以热情哺育事业，以坚持履行信仰。
时代造就英雄，英雄跨越时代，中国的半导体事业由他们开创。站在巨人的肩膀上，更要知道巨人本身。
黄昆：中国半导体奠基人
黄昆，著名物理学家、国家最高科学技术奖获得者、中国半导体的奠基人。黄昆1941年毕业于燕京大学物理系，1951年—1977年在北京大学物理系任教授，1977年—1983年任中国科学院半导体研究所所长。2002年，黄昆荣获2001年度国家最高科学技术奖。2019年7月6日16时17分，黄昆因病在京逝世，享年86岁。
引领中国半导体研究进入世界前沿
1945年抗日战争胜利时，黄昆前往布里斯托大学留学，师从著名的理论物理学家、后来荣获诺贝尔奖的莫特教授，攻读当时刚刚形成学科的固体物理学博士学位。
1951年，黄昆怀着振兴中华、报效祖国的殷切心情，回到北京大学物理系任教。回国不久，就全身心地投入到普通物理课的教学工作，建立富有特色的普通物理教学体系，对此后几十年中，北大以至全国的普通物理教学产生巨大影响。1955年首次在本科生中开设《固体物理》这门课程。后来，国家教委根据他的建议将《固体物理》列为物理专业的一门基础课。同年，黄昆先生邀请王守武、洪朝生、汤定元三位先生，与他们合作在北大物理系为固体物理专门化半导体方向的学生首次开设《半导体物理》课程。此后黄昆先生对此课程不断加以发展，并与谢希德先生合作，写出按当时国际标准来说也是十分先进和系统的《半导体物理学》一书。
1956年，我国第一个中长期科技规划提出将发展半导体技术作为四项紧急措施之一。同年在黄昆先生的建议下，北京大学、复旦大学、厦门大学、东北人民大学（吉林大学前身）和南京大学联合在北京大学物理系创办了我国第一个半导体专业，即五校联合半导体物理专门化。黄昆任半导体教研室主任。该专业培养的学生，大多数已成为我国半导体和集成电路的科研骨干，因此学界也将这个专业称为“半导体的黄埔军校第一期”。中国科学院院士王阳元就是半导体专业的第一批学生。
1977年，58岁的黄昆调至中国科学院半导体研究所任所长，重新开始科研工作。他十分重视全所学术水平的提高，在组织全所科研工作完成国家任务的同时，还亲自给研究人员讲课，组织全所科研人员开展学术交流。在黄昆的主持下，科研人员针对国际上在超晶格理论存在的疑难问题重新开展了研究。1988年，黄昆与朱邦芬合作建立了“黄-朱模型”，解决了超晶格领域存在20多年的难题，提出了对现代光电子产生深远影响的原创理论，并推动了相关领域的发展。
“渡重洋迎朝晖心系祖国傲视功名富贵如草芥，攀高峰历磨难志兴华夏欣闻徒子徒孙尽栋梁。”这是北京大学学子为黄昆先生在世时所作的寿联，以“创造知识”为乐，为自己的国家填补科技空白，这是黄昆内心的真正快乐。
谢希德：一代女杰
谢希德，著名固体物理学家、中科院院士、复旦大学原校长。18岁时，谢希德因患骨关节结核而被迫休学四年。由于治疗条件差，给她留下了残疾的后遗症，走路始终一瘸一拐。1946年谢希德从厦门大学数理系毕业，1947年赴美国留学；1949年获得硕士学位后她转入麻省理工学院专攻理论物理；1952年绕道英国回到中国并被分配到上海复旦大学物理系任教授；1956年被国务院调到北京大学联合筹建半导体专业组；1958年谢希德又调回复旦大学，参加该大学与中国科学院上海分院联合主办的技术物理研究所，并任该所副所长；1980年当选为中国科学院院士，1983年1月出任复旦大学校长。2000年3月4日谢希德逝世于上海，享年79岁。
中国半导体之母
在上世纪50年代，中国决定采用苏联的大学教材，与美国大学的一些教学理念有冲突。谢希德为了让学习更加严谨，她自己编写了一套教材。后来，谢希德又在复旦开设了光学、力学、理论力学、量子力学等课程，为复旦打下了坚实的物理教学基础。
1956年，谢希德与黄昆一同主持开办半导体专门化培训班，培养了300多名半导体人才。二人合作编写了《半导体物理学》教材，成为经典。
固体物理、材料科学和量子化学之间正在形成新的边缘科学即表面科学，其基础是表面物理。51岁那年，谢希德做了一个重大决定：将自己的学术方向从半导体物理转向表面物理研究。她筹建的以表面物理为研究重点的现代物理所后来成为国家重点实验室，培养了大批国家级的物理学家。由她和黄昆开启的中国半导体事业更是迎来新辉煌——1992年，第21届国际半导体物理会议在中国召开，这个历来由欧美国家唱主角的国际会议落地中国，极大地展现了正在走向世界的中国科学。
谢希德在遗嘱中写道：“把我的遗体捐给中国医疗事业。”去世的那天晚上，复旦学生自发折叠的数千只纸鹤挂满枝头，从复旦大学物理系学生宿舍9号楼一直绵延到第一教学楼。
王守武：你好厂长
王守武，微电子学家，半导体器件物理学家。1919年，王守武生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。历任中国科学院半导体研究所研究员、半导体研究室主任、微电子中心名誉主任。中1980年当选为中国科学院院士。2014年7月30日在美国逝世，享年95岁。
兼具学术和产业视角的人才
王守武的兄弟姐妹共12人，除王守武和王守觉这两位“兄弟“中科院院士外，他们中有我国妇产科学奠基人之一、与林巧稚齐名的留美医学博士王淑贞；有1928年获哥伦比亚大学哲学博士学位、中国第一位研究量子力学并卓有成就的学者王守竞；有我国著名的也是最早的女物理学家之一、清华大学第一位女教授王明贞……
1935年，王守武考入同济大学预科。1937年，日本帝国主义全面发动侵华战争，同济大学不断迁校。在颠沛流离的迁校过程中，王守武结束了大学学习。1945年，王守武赴美国普渡大学攻读工程力学。1946年获得硕士学位后，王守武转向物理学。回国初期，王守武在中科院应用物理研究所工作。1956年，在周总理主持下，我国制定《1956～1967年国家十二年科学技术发展远景规划》，王守武是远景规划中半导体科学技术发展规划制定小组副组长。1956年11月,中国第一支锗合金结晶体三极管在半导体研究室诞生，自1963年起，他先后领导并参与了中国第一台半导体激光器的研制、实现半导体激光器的连续激射、半导体负阻激光器以及激光应用的研究工作。
1980年春，王守武兼任中科院109厂厂长，开展提高成品率、降低成本的集成电路大生产试验。1986年，王守武领导109厂完成的“集成电路大生产试验”获得国家计委科技攻关成绩显著表彰，及中国科学院“六五”科技攻关重大成果奖。1986年1月，在王守武的倡议下，上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马，合并到109厂，组建了中国科学院微电子中心，王守武任微电子中心终身名誉主任。
多年来，他对我国半导体科学技术发展方向、政策和策略的确定有过很多卓见。1987年，他因“世界新技术革命和我国的对策”获国家科学技术进步奖二等奖；上世纪80年代，他阐述了发展我国集成电路工业上如何处理好科研与生产的关系，做好把科研成果转变为生产产品的中间环节；上世纪90年代，他提出，在制订我国微电子行业规划时，要狠抓微电子所用的基础材料和专用设备两个方面的基础，重视科技队伍的培养；2000年，他建议，发展半导体工业要开拓市场，可以考虑用通信电路作为我国发展半导体工业的突破口，集中力量，发展我国独特的系列产品，力争在国际上占有一席之地；2006年，王守武呼吁，科研成果转化要打破科研院所与产业部门之间的“条条块块”。
拓荒数十载，王守武带领中国半导体从实验室走向产线，创造了多个第一。
林兰英：无论如何，我要回国
林兰英，半导体材料学家。1948年赴美留学，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系学习；1949年进入宾夕法尼亚大学研究生院进行固体物理的研究，先后获得硕士、博士学位；1955年博士毕业后进入纽约一家公司担任高级工程师进行半导体研究；1957年1月回到中国，并进入中国科学院物理研究所工作；1960年中国科学院半导体研究所成立后，林兰英担任该所研究员；1980年当选为中国科学院院士。2003年，林兰英在北京逝世，享年85岁。
半导体材料开山者
1957年，一名中国女子在美国海关被侮辱性地进行搜查，她的全部积蓄近7000美元也被无耻没收。面对她的愤怒，海关的人挑衅道，你不离开美国，这钱就还是你的。工作人员又粗暴地打开女子手提箱，翻看每一个物品，最终找出了两瓶药。未等海关人员开口，女子就直接打开其中一瓶，解释道：这两瓶药是治疗肺病的。美国海关人员不知道的是，他放下的不是一瓶药，而是中国半导体的希望之光–那个药瓶里面装的是价值数十万美元的锗单晶和硅单晶。
林兰英是宾夕法尼亚大学建校以来的第一位女性博士，其博士论文受到美国物理界的高度评价。毕业后美国将她列入了禁止回国名单。无可奈何之下，她暂时加入了一家科技公司参与研究半导体材料项目，在这里她吸收了大量实验经验，同时也带领团队研制出了公司第一份硅单晶。
1956年，林兰英以“母亲病危”为理由，向美国当局申请回乡探亲，也就发生了上文一幕。回国后，林兰英很快就到中科院应用物理所参加工作，内容就是带队攻克半导体材料难题，而她用药瓶装回来的成品材料，也无偿捐献给了中科院，成为我国半导体研究起步阶段的无价之宝。仅用了半年时间，她的团队就制作出来我国第一根锗单晶。回国第二年，中国自制了第一台半导体收音机，这意味着半导体行业已经有了初步的完整体系！也在当年，林兰英团队制作我国第一根硅单晶成功。林兰英负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。开创了中国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了一定的成绩。
林兰英女士一生未婚，将全部时间和精力都奉献给了国家和热爱的事业。
汤定元：亲手开发出外国最恨的中国发明
汤定元，半导体物理学家、红外学科奠基人。1942年从国立中央大学物理系毕业后留校任教；1950年获得芝加哥大学物理系硕士学位；1951年回国后到中国科学院应用物理所工作，历任助理研究员、副研究员；1991年当选为中国科学院院士。2019年，汤定元在上海逝世，享年99岁。
发展红外技术
1951年5月10日，汤定元力排众议，登上了回国的轮船，在太平洋漂泊进一个月，6月2日抵达广州。2个月后，美国政府下令禁止中国留学生回国。回国后，汤定元进入中国科学院应用物理研究所工作。他结合在国外接触的半导体物理方面的知识，选择了半导体光学及光电性能作为自己的研究方向。
1958年，汤定元意识到我国应该多发展应用研究。于是，他写信给中国人民解放军总参，强调红外技术对于国防建设的重要性，建议红外研究领域应注重器件研究，如红外探测器，并表明他所在的研究机构愿意承担红外探测器的研究工作。后来由于三年困难时期，我国红外技术的研究与应用陷入停滞，汤定元各处奔走，护住了红外的火种。随着汤定元的努力，以及团队背后的科研努力，中国物理从基础研究发展到了空间应用等更广阔的领域。他先后组织领导研制了多种具有国际先进水平的红外光电探测器，并成功应用于多种遥感探测先进装备，为我国“两弹一星”等研究作出了重要贡献。
20世纪70年代末，汤定元选择以窄禁带半导体碲镉汞作为主攻方向，组织窄禁带半导体物理基础研究，对材料、器件的技术展开攻关研究，带领科研团队对碲镉汞晶体的材料、器件和物理性能进行了系统研究，并成功地应用于我国空间遥感和军事探测等先进装备中。汤定元一生培养博士26人，硕士10余人，现多为国内主要科研院所的主要技术骨干或带头人。
中国半导体的辉煌年代黄昆、谢希德、王守武、林兰英、汤定元以及众多中国半导体事业的开拓者们，以热情哺育事业，以坚持履行信仰。他们时代类似、背景相仿，将火点燃将火把交给后人，岁月变迁不减幽火淬炼。他们追求学术的自由、恪守科学的本真，科学无国界但使命在身不可忘，筚路蓝缕终得虔诚进益。
一个人最大的幸福莫过于在人生的中途、富有创造力的壮年，发现自己此生的使命。这就是他们的群星闪耀时。
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